特許
J-GLOBAL ID：200903003729266064
窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272807
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125152
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 表面が平坦で微細な金属配線パターンの形成を可能ならしめる窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法を提供する。【構成】 窒化アルミニウム基板上に、珪素化合物をエチルセルソルブに溶解させてなる溶液を回転塗布法により塗布し、乾燥・加熱処理によって厚さ0.1〜10μm、より好ましくは厚さ0.3〜5μm程度のシリコン酸化膜を積層させた。このようにして形成したシリコン酸化膜は、平均粗度Raが0.05μm以下で、且つ最大粗度Rmaxが0.50μm以下の表面粗度であった。このシリコン酸化膜上にスパッタ法などでアルミニウム配線を形成した。【効果】 高熱伝導性を損なうことなく、厚さ0.1〜10μmのシリコン酸化膜を積層させてなる窒化アルミニウム回路基板が得られ、その上に80μm以下の線幅の金属配線を容易に形成することができ、さらには10μmの線幅の金属配線をも形成可能である。
請求項（抜粋）：
珪素化合物を含む溶液の塗布及び乾燥により形成される厚さ0.1〜10μmのシリコン酸化膜を窒化アルミニウム基板上に備えてなることを特徴とする窒化アルミニウム回路基板。
IPC (2件)：
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