特許

J-GLOBAL ID：200903003732441977

ドライエッチング方法

発明者： 組橋 孝生 ,  小藤 直行 ,  辻本 和典 ,  田地 新一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-187843
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045585
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【構成】エッチング中に、イオンの入射角度分布が3度以上のステップと、3度未満のステップとを組み合わせる。【効果】エッチャントとなる中性粒子を効率よく底面まで輸送できるので、深溝や深孔をエッチングする時に、エッチング形状の曲がりやマイクロローディング効果を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

処理室内にガスを流し、前記ガスをプラズマ状態とし、前記プラズマから入射するイオンのエネルギを用いて、前記処理室内に設置した試料をエッチングするドライエッチング方法において、イオンの入射角度分布が3度以上のステップと、3度未満のステップを含むことを特徴とするドライエッチング方法。