半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270181
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120453
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】本発明の半導体装置の製造方法は、被酸化性膜をマスクとして用い、第1のゲート酸化膜202を除去し、続いて第2のゲート酸化膜を形成する際に同時に被酸化性膜も酸化され、第1の領域B上では酸化された被酸化性膜と第1のゲート酸化膜とが一体になって厚いゲート酸化膜が、第2の領域A上では第2のゲート酸化膜による薄いゲート酸化膜とが形成される。【効果】本発明の半導体装置の製造方法は、エッチングむらやチャネル領域の汚染等を防止しつつ同一ウェーハ上に複数の膜厚のゲート酸化膜をつくり分けることが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の第1の領域及び第2の領域に異なる厚さのゲート酸化膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記第1の領域及び前記第2の領域の前記半導体基板表面を酸化することにより第1のゲート酸化膜を形成する第1の酸化工程と、前記第2の領域以外の前記第1のゲート酸化膜上に被酸化性膜を形成する工程と、前記被酸化性膜をマスクとして前記第2の領域上の前記第1のゲート酸化膜を除去する工程と、前記被酸化性膜を酸化し、これと同時に前記第2の領域の前記半導体基板表面を酸化することにより第2のゲート酸化膜を形成する第2の酸化工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 27/088 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , H01L 27/08 102 C , H01L 29/78 371

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