特許

J-GLOBAL ID：200903003733470750

液晶分子の配向法

発明者： 山添 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103845
公開番号（公開出願番号）：特開平6-313886
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、液晶表示装置における表示品位を向上させるための方法を提案するものである。【構成】 基板1の主面上に側鎖型高分子液晶膜3を形成し、この側鎖型高分子液晶膜3をガラス化温度以上、ネマティック一等方光学媒体状態の転移温度以下の所望の温度に加温し、所望の方向の磁力線5にこの側鎖型高分子液晶膜磁場を晒す。

請求項（抜粋）：

基板主面上に側鎖型高分子液晶膜を形成し、この側鎖型高分子液晶膜をガラス化温度以上、ネマティック-等方光学媒体状態の転移温度以下の所望の温度に加温し、同時に所望の方向の磁力線にこの側鎖型高分子液晶膜磁場を晒し、次に、この1対の基板をその主面を所定の間隙になるように対向させ、前記間隙に液晶を充填することを特徴とする液晶分子の配向法。