特許
J-GLOBAL ID：200903003737915128
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079319
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102076
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 シリサイド膜上にコンタクトをとりポリシリコンまたは金属からなる配線層を配置する半導体装置の製造方法において、複雑な方法を用いることなく良好なオーミック特性を有し、かつ再現性のよいコンタクトを有する半導体装置を得る。【構成】 n型不純物拡散層4表面に形成されたチタンシリサイド膜6の、コンタクト8の底部に露呈した部分の表面に生じた酸化物6aをフルオロカーボンポリマーを形成するガスを用いて選択的に除去する、あるいは水素ガスを用いて還元する。さらにはフッ素系のガスまたは塩素系のガスを用いてコンタクト8底部のシリサイド膜6を除去する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にシリサイド反応によりシリサイド膜を形成したのち層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜の所定位置にコンタクトホールを形成する工程と、その後配線層を上記層間絶縁膜上に、上記コンタクトホールを介して上記基板表面と接触するように形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、上記コンタクトホール底面上に生じた酸化物を、ハロゲン系のガスを用いたエッチングにより除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
