特許

J-GLOBAL ID：200903003741817874

半導体装置およびその作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  小沼 利光 ,  鈴木 敦則 ,  大沼 英人 ,  山口 直明 ,  須沢 秀臣 ,  魚地 秀貴 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102690
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065181
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域に高抵抗不純物領域を自己整合的に形成する方法を提供する。【構成】 ゲイト電極の近くの領域ではゲイト絶縁膜が存在し、より遠い領域ではゲイト絶縁膜のない状態が得られる。この状態で、ゲイト電極部をマスクとした、自己整合的な不純物ドーピングをおこなうと、ゲイト電極の下部には実質的に不純物はドーピングされず、ゲイト電極に近い領域でもゲイト絶縁膜の存在によって、ドーピング量は少なく、不純物濃度の低い高抵抗領域となる。よりゲイト電極から遠い領域では、ゲイト絶縁膜が存在しないので通常通りにドーピングがおこなわれて、不純物濃度の高い低抵抗領域となる。すなわち、第1の陽極酸化膜と第2の陽極酸化膜の厚さの差により、自己整合的に高抵抗不純物領域が形成される。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタにおいて、上面及び側面に陽極酸化膜が形成されたゲイト電極と、前記ゲイト電極の下にゲイト絶縁膜を介して存在するチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に隣接した1対の高抵抗不純物領域と、前記高抵抗不純物領域の外側に設けられた1対の低抵抗不純物領域とを有し、かつ、前記高抵抗不純物領域と前記チャネル形成領域との境界は前記ゲイト電極の側面と一致し、かつ、ゲイト絶縁膜の端部は前記低抵抗不純物領域と高抵抗不純物領域との境界またはその近傍に一致することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 627 F