特許

J-GLOBAL ID：200903003744254218

高チャネル移動度を有するSiC半導体装置

発明者： ペータース、デタルト ,  シェルナー、ラインホルト ,  シュテファニ、ディートリッヒ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-544401
公開番号（公開出願番号）：特表2001-517375
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】半導体装置のSiCチャネル領域2は配向を外したエピタキシャル成長によりその表面20に互いに平行に延びる隆起部6を有する。チャネル領域2の電流の流れは隆起部6に平行に調整される。それによりチャネル領域2内に高いキャリア移動度が達成される。

請求項（抜粋）：

a)少なくとも互いにほぼ並列して延びる隆起部(6)のある表面(20)を有する単結晶炭化ケイ素(SiC)から成る少なくとも1つのチャネル領域(2)と、 b)少なくとも2つの電極(15、16)を有する少なくとも1つの電子的に活性な構造を有し、それらの電極間に電子活性構造(7)の導通状態において動作電圧を印加するとき少なくとも1つのチャネル領域(2)を通って電流(I)が流れ、この電流が少なくとも十分にチャネル領域(2)の表面(20)の隆起部(6)に平行するように方向付けられる半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/808

FI (6件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/74 601 A