特許

J-GLOBAL ID：200903003752976656

電気光学装置及び電子機器

発明者： 小山 登
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-068113
公開番号（公開出願番号）：特開2008-233148
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】フローティングゲートを画素信号電荷の蓄積に用いると共に、TFTがオフ時のリーク電流を無くすことが可能なTFT構造を提供し、また、このようなTFT素子を用いることによりコントラスト等の画像特性の向上、及び消費電力の低減を図ることが可能な電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置は、基板上に、半導体層と、該半導体層上に第1の絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、該フローティングゲート上に第2の絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含んで構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのフローティングゲートに電気的に接続される画素電極とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、 半導体層と、該半導体層上に第1の絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、該フローティングゲート上に第2の絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含んで構成された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタのフローティングゲートに電気的に接続される画素電極と を備えたことを特徴とする電気光学装置。

IPC (3件)：

G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 614 ,  H01L29/78 613B

Fターム (51件)：

2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA40 ,  2H092JB23 ,  2H092JB24 ,  2H092JB63 ,  2H092JB66 ,  2H092JB67 ,  2H092NA01 ,  2H092NA22 ,  2H092NA26 ,  2H092RA05 ,  5C094AA06 ,  5C094AA22 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094FB14 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE27 ,  5F110EE36 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055232   出願人：株式会社フロンテック, 柴田直, 大見忠弘