特許
J-GLOBAL ID：200903003756780730
プラズマ成膜装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 昇
, 原田 三十義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-348171
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149919
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】 基材の損傷を防止しながら確実に成膜でき、電極への膜の付着をも防止できるプラズマ成膜装置を提供する。【解決手段】 プラズマ成膜装置の処理ヘッド3には、膜原料を含む第1ガスの流路50aと、膜原料を含まない第2ガスの流路50b,20bが形成されている。第2流路20bは、電界印加電極51と、それより下側(基材の側)に配置された接地電極62を含む基材対向部材25との間に形成されている。第1、第2流路50a,20bの下流端は、互いに交わり、その交わり部20cに第1、第2ガスの共通の吹出し口25aが連なっている。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
プラズマの作用で基材の表面に膜を形成するプラズマ成膜装置において、
(A)前記膜の原料を含む第1ガスの供給源と、
(B)プラズマにより前記原料を膜化可能な励起状態になる一方、自ら膜化する成分を含まない第2ガスの供給源と、
(C)基材と対向されるべき処理ヘッドとを備え、
前記処理ヘッドには、
(a)接地された接地電極と、
(b)電界印加手段に接続されるとともに前記接地電極との間にプラズマ放電空間を形成する電界印加電極と、
(c)この電界印加電極の基材を向くべき側に被さるように設けられ、かつ接地された導電部材と、
が設けられるとともに、
(d)前記第1ガス供給源からの第1ガスを、前記プラズマ放電空間を避けるようにして、又は、かすめるようにして基材へ導く第1流路と、
(e)前記プラズマ放電空間を含み、前記第2ガス供給源からの第2ガスを、前記プラズマ放電空間に通した後、前記第1ガスと接触させる第2流路と、
が形成されていることを特徴とするプラズマ成膜装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
4K030AA06
, 4K030AA18
, 4K030BA29
, 4K030BA40
, 4K030CA17
, 4K030EA06
, 4K030FA03
, 4K030KA18
, 4K030KA30
, 4K030KA46
, 4K030KA47
, 5F045AA08
, 5F045AB04
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AE29
, 5F045DP03
, 5F045EE13
, 5F045EH05
, 5F045EH14
, 5F045EH18
