特許
J-GLOBAL ID：200903003756794986

半導体装置の製造方法

発明者：
神野 優志

神野 優志 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-081476
公開番号（公開出願番号）：特開平10-274787
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 a-Siを結晶化するためのレーザーアニールを、均一に行い、均質なp-Siを得る。【解決手段】 基板10上にa-Siと連続してSiO2の保護膜14を成膜し、エキシマレーザーアニール(ELA)を行ってa-Siを多結晶化し、p-Si13を形成する。a-Siと保護膜14とは同様の膜厚のばらつきがあり、保護膜14はあらかじめa-Siの最も厚く領域に最適な膜厚に設定される。a-Siの厚い領域では保護膜14に効率良くエネルギーが与えられ、比較的低いエネルギー密度を上昇させ、a-Siのより薄い領域では保護膜14により効率を落としてエネルギーが与えられるので、比較的高いエネルギー密度が低下し、全面にわたって均一なレーザーアニールが行われる。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体層と、絶縁層を挟んで前記半導体層の能動領域に対向する電極を有した半導体素子を複数有した半導体装置の製造方法において、絶縁性の保護膜を、前記半導体層と連続的に、前記半導体層の膜厚が最も厚い半導体素子に最適の膜厚に形成し、この保護膜を有した半導体層にレーザーアニールを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 26/02
FI (2件)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 26/02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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