特許
J-GLOBAL ID:200903003758990430
MOSFETおよびそれを用いた保護回路装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
芝野 正雅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-308618
公開番号(公開出願番号):特開2002-118258
出願日: 2000年10月10日
公開日(公表日): 2002年04月19日
要約:
【要約】【課題】パワーMOSFETではゲート酸化膜を静電破壊から保護するために双方向ツェナーダイオードをゲート-ソース間に接続し、さらにそのMOSFETを二次電池充放電バッテリーマネジメントに使用するためには外付けでツェナーダイオードを接続しており、保護基板面積の増大を招いていた。【解決手段】本発明はMOSFET内蔵のゲート-ソース間保護用ダイオードを一方向のダイオードとすることにより、個々のMOSFETを静電破壊等から保護し、さらにそのMOSFETを充放電バッテリーマネジメントに使用する場合にはコントロールICからMOSFETのゲート-ソース間に過電圧が発生しても一方向のツェナーダイオードで保護が可能となり、外付けツェナーダイオードが不要となるため、部品点数の削減と省スペース化が可能となる。
請求項(抜粋):
半導体基板上に多数のMOSトランジスタのセルが配列された実動作領域と該実動作領域上に設けられ前記MOSトランジスタの各セルのソース領域と接続されたソース電極と前記MOSトランジスタの各セルのゲート電極と接続されたゲートパッド電極とをそれぞれ備えた第1のMOSFETおよび第2のMOSFETを前記半導体基板にドレイン領域を共通に形成した1チップデュアル型MOSFETにおいて、前記第1および第2のMOSFETの一方または両方の前記ソース電極と前記ゲート電極の間で且つ前記ゲートパッド電極の直下の前記半導体基板にツェナーダイオードを設けることを特徴とするMOSFET。
IPC (9件):
H01L 29/78 657
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H02H 7/16
, H02H 9/04
, H03K 17/08
, H03K 17/687
FI (9件):
H01L 29/78 657 B
, H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 652 Q
, H02H 7/16 B
, H02H 9/04 A
, H03K 17/08 C
, H01L 27/04 H
, H01L 27/04 E
, H03K 17/687 A
Fターム (37件):
5F038BE07
, 5F038BE09
, 5F038BH02
, 5F038BH03
, 5F038BH05
, 5F038BH13
, 5F038BH15
, 5F038EZ15
, 5G013AA02
, 5G013AA16
, 5G013BA02
, 5G013CB03
, 5G013DA10
, 5G053AA09
, 5G053BA04
, 5G053CA05
, 5G053DA02
, 5G053EA09
, 5G053EC03
, 5J055AX34
, 5J055AX43
, 5J055AX44
, 5J055BX16
, 5J055CX00
, 5J055DX13
, 5J055DX22
, 5J055DX72
, 5J055EY01
, 5J055EY10
, 5J055EY12
, 5J055EY13
, 5J055EY17
, 5J055EY29
, 5J055EZ57
, 5J055GX01
, 5J055GX07
, 5J055GX08
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