電界効果型トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011871
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221313
出願日： 1994年02月03日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】電界効果移動度が大きいとともにオン・オフ比が大きく、簡便な方法で作製できる電界効果型トランジスタを提供する。【構成】クロロシリル基を有するポリ置換チオフェンを有機溶剤に溶解させ、これをゲート絶縁膜表面に塗布する。ゲート絶縁膜の表面とπ-共役系高分子との間で吸着作用が働き、ゲート絶縁膜界面付近の高分子鎖の配列状態が影響を受けるため、ゲート絶縁膜界面付近の領域の電気伝導度がバルクとは異なった半導体層が得られる。このようにして半導体層/ゲート絶縁膜界面付近を流れるオン電流のキャリア移動度を選択的に大きくすることができる。【化1】

請求項（抜粋）：

半導体層とゲート絶縁膜を具備する電界効果型トランジスタにおいて、前記半導体層が、一般式(I)で表わされるπ-共役系高分子を主成分とするものであることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【化1】(式中R1 は炭素数4以上22以下のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、フェニル基より選ばれる1種、R2 、R3 はそれぞれ-Cl、-H、-CH3、-C2 H5 より選ばれる1種である)

IPC (5件)：

H01L 29/786 , C08L 81/00 LRF , H01L 51/00 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 B , H01L 29/28 , H01L 29/78 301 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-031174
特開昭63-076378

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