特許

J-GLOBAL ID：200903003766792264

レーザ光による加工方法

発明者： 梅津 一成 ,  尼子 淳 ,  四谷 真一 ,  荒川 克治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047433
公開番号（公開出願番号）：特開2000-246474
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：

【要約】【課題】 加工の際に発生するドロスを容易に除去することを可能にしたレーザ光による加工方法を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶基板10の表面及び裏面にそれぞれ酸化シリコン膜13を保護膜として形成し、この保護膜を介して基板10にレーザ光を照射して穴明け加工を行う。

請求項（抜粋）：

基材に保護膜を形成し、前記保護膜を介して基材にレーザ光を照射することを特徴とするレーザ光による加工方法。

IPC (5件)：

B23K 26/00 330 ,  B23K 26/16 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205 ,  B23K101:40

FI (4件)：

B23K 26/00 330 ,  B23K 26/16 ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/88 J

Fターム (36件)：

4E068AA04 ,  4E068AF01 ,  4E068CD02 ,  4E068CD04 ,  4E068CF03 ,  4E068CG00 ,  4E068DA00 ,  4E068DA02 ,  4E068DA11 ,  5F004AA09 ,  5F004BB03 ,  5F004DB01 ,  5F004DB32 ,  5F004EA37 ,  5F004EB02 ,  5F004EB08 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM30 ,  5F033NN40 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR04 ,  5F033SS07 ,  5F033SS11 ,  5F033VV07 ,  5F033XX21