特許

J-GLOBAL ID：200903003770135200

絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115503
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291575
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ゲイト型電界効果トランジスタにおいてゲイト電極の周囲に陽極酸化法によって、酸化膜を形成する際に生じるゲイト絶縁膜あるいはゲイト絶縁膜とチャネル領域の界面の欠陥を除去するための方法を提供することを目的とする。【構成】 ゲイト電極104の表面が陽極酸化された金属ゲイトを有する薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、陽極酸化の後、ゲイト電極104に負の電圧を印加する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に半導体領域を形成する形成する工程と、前記半導体領域上に、ゲイト絶縁膜として機能する絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜上にアルミニウム、クロム、チタン、タンタル、シリコンのいずれか、あるいはそれらの合金を主体とする金属被膜を形成する工程と、前記金属被膜に、電解溶液中で正の電圧を印加し、その表面に酸化物層を形成する工程と、その後、前記金属被膜に負の電圧を印加する工程とを有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法。