特許

J-GLOBAL ID：200903003784465378

誘導結合プラズマCVD装置

発明者： 福山 聡
出願人/特許権者： 東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060704
公開番号（公開出願番号）：特開平8-260154
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 高速で成膜することのできる誘導結合プラズマCVD装置を提供する。【構成】 この発明に係る誘導結合プラズマCVD装置1では、リング状のアンテナ31に高周波を印加すると、このアンテナ31に接して設けられた誘電体窓13の反対側、すなわちチャンバ3の内部にプラズマ79を発生する。チャンバ3の内側にはステージ15が設けられており、このステージ15の上に載置されたワーク53を加熱する。また、チャンバ3内部は排気装置77により排気されて真空状態となり、このチャンバ内にガス供給装置25,55が少なくとも2種類の反応ガスを所望量供給する。前記ステージ15はステージ移動手段65により前記誘電体窓13に対して随時接近離反され、ガス供給管移動手段69が前記ガス供給管55のうちの少なくとも一方のガス供給管55の前記ステージ15に対する間隔を調整するものである。

請求項（抜粋）：

高周波印加が可能なリング状のアンテナと、このアンテナに接して設けられた誘電体窓と、この誘電体窓を有すると共に気密保持可能に設けられたチャンバと、このチャンバ内部にあってワークを加熱すべく設けられたステージと、前記チャンバ内部を排気するための排気装置と、前記チャンバに少なくとも2種類の反応ガスを所望量供給可能なガス供給装置と、を備えた誘導結合プラズマCVD装置であって、前記誘電体窓に対して前記ステージを相対的に接近離反させるステージ移動手段と、前記ステージに対して前記ガス供給管のうちの少なくとも一方のガス供給管を相対的に接近離反させるガス供給管移動手段と、を備えてなることを特徴とする誘導結合プラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A