特許
J-GLOBAL ID：200903003785745650
半導体光素子構造およびそのエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320802
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181387
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 被エッチング試料を形成する半導体の吸収端波長よりも長波長なモニタ光を用いて、エッチングの終了すべき時期に明確な終点検出信号を得る。【構成】 基板51上に、第1クラッド層52、ガイド層53、第2クラッド層54、第2クラッド層54よりも高屈折率なエッチング終点検出層55、エッチング終点検出層55よりも低屈折率な第3クラッド層56が順次積層されており、第3クラッド層56およびエッチング終点検出層55の一部がエッチングにより除去されてリブ型導波路が形成されており、エッチング終点検出層厚がm・λ/(2n・cosθ)(但し、m:自然数、λ:エッチング終点検出に用いるレーザ波長、n:エッチング終点検出層の屈折率、θ:エッチング終点検出に用いるレーザ光のエッチング終点検出層での屈折角)である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に少なくとも、半導体第1クラッド層、半導体ガイド層、半導体第2クラッド層、前記半導体第2クラッド層よりも高屈折率なる半導体エッチング終点検出層、前記エッチング終点検出層よりも低屈折率なる半導体第3クラッド層および前記エッチング終点検出層の一部がエッチングにより除去されてリブ型導波路が形成されており、前記半導体エッチング終点検出層厚がm・λ/(2n・cosθ)(ただし、m:自然数、λ:エッチング終点検出に用いるレーザ波長、n:エッチング終点検出層の屈折率、θ:エッチング終点検出に用いるレーザ光のエッチング終点検出層での屈折角)であることを特徴とする半導体光素子構造。
IPC (2件)：
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