特許
J-GLOBAL ID：200903003789712764
強誘電体メモリ装置およびその動作制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000063
公開番号（公開出願番号）：特開平8-185693
出願日： 1995年01月04日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体を用いた不揮発性メモリ装置において従来問題となっていた、メモリセルからデータ読み出す際の、強誘電体の分極反転電荷以外のノイズ電荷によって、強誘電体キャパシタ両電極間に十分な電圧がかからなくなる問題を解決する。【構成】 メモリセル101からデータを読み出す際に、データ信号線12,/12の電圧変動を抑制し、強誘電体キャパシタ104の両電極間に確実に抗電圧以上の電圧をかける手段を具備することにより、強誘電体メモリ装置を安定に動作させる。
請求項（抜粋）：
強誘電体材料を用いた強誘電体キャパシタ、データの入出力を行うデータ信号線、アドレス信号に対応して選択される選択信号線、前記強誘電体キャパシタと前記データ信号線との間に設けられ、かつ前記選択信号線により選択制御されるスイッチ手段とからなり、前記強誘電体キャパシタの分極状態を記憶データに対応させ、前記強誘電体キャパシタの両電極間にゼロでない第1の電圧をかけたときに、前記強誘電体キャパシタと前記データ信号線との間に流れる電流が前記強誘電体キャパシタの分極の状態により異なることを利用し、前記電流の前記記憶データによる差異を検知する、ないしは前記電流の差異により前記データ信号線上に現れる電圧の差異を検知することで、記憶されていたデータの読み出しを行うメモリセル、前記複数のメモリセルが接続された前記データ信号線を、前記記憶されていたデータによる電流の差異を検知する回路である電流型センスアンプまたは前記電圧の差異を検知する回路である電圧型センスアンプに入力した単位メモリセルアレイ、前記単位メモリセルアレイを複数配列したメモリセルアレイを有し、前記選択信号線を、前記メモリセルが選択状態となる第2の電圧に設定し、前記メモリセルからデータをデータ信号線上に読み出す際に、前記強誘電体キャパシタの分極による電流以外の要因によって前記データ信号線に対して流れ込む電荷を吸収する手段を具備し、前記強誘電体キャパシタの両電極間に前記強誘電体キャパシタの抗電界以上の電界をかけることを特徴とする強誘電体メモリ装置。
IPC (2件)：
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