特許
J-GLOBAL ID：200903003799839509
半導体装置製造用フォトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245352
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097066
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】半導体装置用ウエハに処理を施すためウエハを設備内に固定ないし搬送する際にフォトレジストが剥離してウエハや設備を汚染する浮遊塵埃となるのを防止するためウエハの周縁部からフォトレジストを除去する。【構成】ウエハ1に塗布したフォトレジスト膜の露光用のフォトマスク10のウエハ1の中央部3に対応する部分に半導体装置のチップパターン11を配列するとともにマスク合わせ用のマークパターン12を配列に割り込ませて形成し、かつウエハ1の周縁部4に対応する部分を透明な地や黒地の非パターン部に形成しておき、フォトマスク10により露光したフォトレジスト膜を現像の際にウエハ1の周縁部4から確実に除去し、処理設備内にウエハ1を固定する際に抑え治具30が周縁部4に接触してフォトレジストの樹脂が剥離するおそれをなくす。
請求項（抜粋）：
半導体装置を作り込むべきウエハに対し処理を施す際に用いるフォトレジストのパターンニング用フォトマスクであって、半導体装置を並べて作り込むべきウエハの中央部に対応する部分に半導体装置用のチップパターンとウエハとのマスク合わせ用のマークパターンを設け、ウエハの周縁部に対応する部分は非パターン部に形成して置き、ウエハ面に塗布されたフォトレジスト膜がフォトプロセス中にウエハの周縁部から除去されるようにしたことを特徴とする半導体装置製造用フォトマスク。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, H01L 21/68
H01L 21/30 361 W
, H01L 21/30 301 P
