特許
J-GLOBAL ID：200903003802020281
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-036138
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230354
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 ペルチェ素子を用いて半導体素子を冷却する場合、ペルチェ素子の発熱面の熱を効率よく外部へ放出するのは困難であった。【解決手段】 キャリア基板1の表面にバンプ2を介してその主面で接続された半導体素子3と、間隙を充填封止したアンダーフィル樹脂4と、半導体素子3の裏面に配置されたペルチェ素子5と、ペルチェ素子5に密着して設けた金属プレート6aと、その金属プレート6aからキャリア基板1に熱を伝導させ、電気的に接続した金属プレート6bとにより半導体装置を構成し、ペルチェ素子5の発熱面の熱は、金属プレート6a,6bを通してキャリア基板1へ効率よく伝達され、さらにキャリア基板1から母配線基板へ熱伝達して熱の空気への放散面積を増加させ、放熱効率を上昇させることができ、ペルチェ素子5の発熱面の温度上昇を所望範囲内に抑えることが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子を搭載した前記半導体素子の電気信号や電力を入出力する配線を有する基板と、前記半導体素子の表面または裏面にその一面が配置されたぺルチェ素子と、前記ペルチェ素子の他面に密着した金属板と、前記金属板に一端が接続し、他端が前記基板に接続した金属板とよりなることを特徴とする半導体装置。
Fターム (4件)：
5F036AA01
, 5F036BA33
, 5F036BB21
, 5F036BD05
