特許

J-GLOBAL ID：200903003805040100

光半導体装置の電極構造

発明者： 熊井 次男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267708
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 光半導体装置の量子効率を向上させるために、特に化合物半導体に対し高反射率、低オーミック抵抗の電極構造を提供する。【構成】 半導体層上に、?@高融点金属層/?AAg,Al層/?BGe又はSn層/?CAg又はAl層(?A,?B,?Cは合金化してAgZn,AlZnでもよい)を含む電極を形成するか、もしくは?@AuZn又はAuGeアロイ層/高融点金属層/Ag,Au又はAl層を含む電極を形成する。

請求項（抜粋）：

光半導体装置の半導体層上に、第1層として高融点金属層、第2層としてAg,Al層、第3層としてZn,Ge又はSn層、第4層をAg又はAl層を形成し、第2層のAg又はAlと第3層のZnと第4層のAg又はAlとは合金化してAgZn又はAlZnしてもよい層構成を含む電極を設けたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/107

FI (3件)：

H01L 31/10 H ,  H01L 31/10 B ,  H01L 31/10 A