特許
J-GLOBAL ID：200903003820039615
光半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-132427
公開番号（公開出願番号）：特開平8-327859
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 レーザダイオードと光ファイバとの高精度な光軸合わせを行うことができる光半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 Si基板7にダイシング法により、光ファイバ5を固定するためのV溝4、次いでマーカ用V溝8をV溝4の両脇に形成し、次いで、光ファイバ5をV溝4に樹脂等の接着剤で取付け、マーカ用V溝8を高精度マーカとして認識し、レーザダイオード1と光ファイバ5の平行出しと位置合わせを行った後に、レーザダイオード1をSi基板7にボンディングする。【効果】 レーザダイオードと光ファイバとの高精度な光軸合わせが可能である。
請求項（抜粋）：
V溝及びその近傍にマーカ用V溝を設けた基板、この基板上のV溝に取付けられた光ファイバ、上記マーカ用V溝によって位置決めされ、上記光ファイバと光結合するように上記基板上に取付けられた光素子を備えたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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