特許
J-GLOBAL ID:200903003823711586
圧電/電歪膜型素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中島 三千雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-318080
公開番号(公開出願番号):特開平8-181360
出願日: 1994年12月21日
公開日(公表日): 1996年07月12日
要約:
【要約】【目的】圧電/電歪膜型素子において、低駆動電圧にてより大きな変位を実現すると共に、その圧電/電歪作動部に発生する歪みや応力を効率良く変位に変え、また複数の圧電/電歪作動部を設けた場合にあっても、それらの同時駆動に際しての変位低下率を小さく為し得るようにすること。【構成】窓部6を覆蓋するようにダイヤフラム部10を一体に設けたセラミック基体2と、該ダイヤフラム部10上に設けた、下部電極12、圧電/電歪層14、上部電極16から構成される膜状の圧電/電歪作動部18とを有する圧電/電歪膜型素子にして、ダイヤフラム部10上に形成される圧電/電歪作動部18の対応する端縁の少なくとも一方をダイヤフラム部10の中心側に偏位させて、窓部6の周縁部から離隔せしめ、それら圧電/電歪作動部18の端縁と窓部6の周縁部との間に位置するダイヤフラム部位に、応力緩衝部20を形成した。
請求項(抜粋):
少なくとも一つの窓部を有すると共に、該窓部を覆蓋するように、薄肉のダイヤフラム部が一体に設けられてなるセラミック基体と、該ダイヤフラム部の外面上に膜形成法によって層状に順次設けた下部電極、圧電/電歪層及び上部電極より構成される膜状の圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪膜型素子にして、前記ダイヤフラム部上に形成される前記圧電/電歪作動部の対応する端縁の少なくとも一方を該ダイヤフラム部の中心側に偏位させて、前記窓部の周縁部から離隔せしめ、該圧電/電歪作動部の端縁と該窓部の周縁部との間に位置するダイヤフラム部位を湾曲させることにより、その湾曲したダイヤフラム部位にて応力緩衝部を構成せしめたことを特徴とする圧電/電歪膜型素子。
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