特許
J-GLOBAL ID：200903003825614782
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137160
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321291
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】高耐圧横型MOS型トランジスタの延長ドレイン領域の空乏層を伸び易くし、高耐圧を保ったままオン抵抗を低減する。【解決手段】一導電型の半導体基板上の一領域に形成された逆導電型で高濃度不純物を含むソース領域と、半導体基板主面のゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極を挟み前記ソース領域に対向して形成された逆導電型で低濃度不純物を含有する第1の拡散領域とを有し、第1の拡散領域の表面部に逆導電型で高濃度不純物を含むドレイン領域が形成され、ゲート電極とドレイン領域との間であり前記第1の拡散領域の表面部に一導電型で低濃度不純物を含む第2の拡散領域が形成され、さらに第1の拡散領域の表面から所定の深さに溝が形成され溝の側壁に一導電型の不純物を含む第3の拡散領域が形成されている。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板上の一領域に形成された逆導電型で高濃度不純物を含むソース領域と、前記半導体基板主面のゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟み前記ソース領域に対向して形成された逆導電型で低濃度不純物を含有する第1の拡散領域とを有し、前記第1の拡散領域の表面部に逆導電型で高濃度不純物を含むドレイン領域が形成され、前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間であり前記第1の拡散領域の表面部に一導電型で低濃度不純物を含む第2の拡散領域が形成され、前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間であり前記第1の拡散領域の表面から所定の深さに溝が形成され、前記溝の側壁に一導電型の不純物を含む第3の拡散領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 301 X
