特許
J-GLOBAL ID：200903003827249305
半導体光導波路およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320642
公開番号（公開出願番号）：特開平7-174931
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【構成】 InP基板1上にInGaAspガイド層2、InP第1クラッド層3、InP埋め込み兼クラッド層4を形成し、ガイド層2の幅及び高さが導波方向でテーパー形状であり、かつ、埋め込み兼クラッド層4の幅が導波方向でテーパー形状であり、一方の端面では埋め込み構造、他方の端面ではリッジ構造である。【効果】 リッジ構造半導体光デバイスと光ファイバーまた埋め込み構造半導体光デバイスとの結合効率を改善する。また、選択成長技術を用いてガイド層・クラッド層を形成しており、エッチング工程を含まないため、プラズマダメージや側壁荒れによる散乱損失を抑制することができ、また、MO-CVD選択成長技術によってガイド層を作製しているため、所望のテーパー形状の幅・高さを再現性良く実現でき、歩留まりが良く、集積に適している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に少なくとも、前記半導体基板より屈折率の高い半導体ガイド層、前記半導体ガイド層より屈折率の低い半導体クラッド層、前記半導体ガイド層より屈折率の低い半導体埋め込み兼クラッド層から構成され、前記ガイド層の幅及び高さが導波方向でテーパー形状であり、かつ、前記埋め込み兼クラッド層の幅が導波方向で逆テーパー形状であり、一方の端面では埋め込み構造、他方の端面ではリッジ構造であることを特徴とする半導体光導波路。
IPC (2件)：
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