特許

J-GLOBAL ID：200903003827658760

不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法

発明者： 信方 浩美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208268
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040382
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】書き込み、ベリファイ時間を短縮できる8値対応の不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法を提供する。【解決手段】書き込み前に全ビット線電圧をPMOSトランジスタPT21を通して電源電圧VCCに充電した後、ビット線をラッチ回路Q23,Q22,Q21のラッチデータに応じた電圧の供給源に接続させ、かつ並列的に書き込みを行う。これにより書き込み時間を短縮でき、また、ベリファイ読み出しおよび通常読み出しを高速に行うことができる。

請求項（抜粋）：

ワード線およびビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化し、しきい値電圧に応じた値のデータを記憶するメモリセルを有し、3ビットの8値データをページ単位でメモリセルに書き込む不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み前に全ビット線を所定の電圧にプリチャージするプリチャージ手段と、書き込みデータがラッチされるラッチ回路を有し、アドレスに応じて選択されたビット線をラッチデータに応じた電圧に設定し、書き込みを並列に行う書込制御回路とを有する不揮発性半導体記憶装置。

FI (3件)：

G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 601 T ,  G11C 17/00 611 A

Fターム (7件)：

5B025AA01 ,  5B025AC03 ,  5B025AD02 ,  5B025AD04 ,  5B025AD11 ,  5B025AE00 ,  5B025AE05