特許

J-GLOBAL ID：200903003832487524

半導体素子及び太陽電池

発明者： 生橋 良一
出願人/特許権者： パワード有限会社
代理人 (1件)： 中村 茂信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-361638
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193444
出願日： 2002年12月13日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】熱応力緩和を確保した上で、なお放熱性の良い半導体素子を提供する。【解決手段】電極板13の電極側放熱部13cと他端側放熱部13f間に、熱応力緩和部13aを設け、この熱応力緩和部13aは、電極板13の長手方向に直交する方向にスリット13g、13h、13i、13jを形成するとともに、中央部に十字状切り欠き穴13kを設け、スリット13g、13hと十字状切り欠き穴13k間、スリット13i、13jと十字状切り欠き穴13k間に、それぞれ屈曲状の導電路13d、13eを並列に設けた。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

半導体チップの表面に、少なくとも第1と第2の電極を有し、これらの電極が外部に接続するための電極板に接続されてなる半導体素子において、 少なくとも一方の前記電極板は、電極側と他端側間に、屈曲した複数の導電路が並列に配置してなることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L31/042 ,  H01L23/48

FI (2件)：

H01L31/04 R ,  H01L23/48 C

Fターム (3件)：

5F051BA18 ,  5F051EA06 ,  5F051JA07