特許
J-GLOBAL ID：200903003832819268
固体撮像素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155064
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030816
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明はAPDより簡単な構造、回路構成にしながら、受光画素の近傍に蓄積電荷のアバランシェ増倍機構を持たせ、光電変換により生じた電荷より大きな電荷量を、出力として取り出す。【構成】 複数のホトダイオード2、3、4の電荷を混合する蓄積電荷混合用FET6、8のソース領域側のドーズ量と、ドレイン領域側のドーズ量とを変えて、各ホトダイオード2、3、4の光電変換動作によって得られた蓄積電荷を混合するとき、ホトダイオード2、4間およびホトダイオード3、4に形成された蓄積電荷混合用FET6、8のチャネル領域によって電荷の増倍作用を行なって光電変換により生じた電荷より大きな電荷量をホトダイオード出力として取り出す。
請求項（抜粋）：
複数の単位画素センサを格子状に配置して光電変換を行なう固体撮像素子において、前記各単位画素センサを多画素混合型にし、これらの各単位画素センサを構成する各ホトダイオードの間に、蓄積電荷混合用FETを形成し、この蓄積電荷混合用FETのソース、ドレイン領域の不純物濃度に蓄積電荷のアバランシェ増倍が生じるに足る濃度差を設ける処理、または蓄積電荷混合時に蓄積電荷混合用FETのソース、ドレイン領域の電位に蓄積電荷のアパランシェ増倍が生じるに足る電位差を設ける処理を行ない、前記単位画素センサによって多画素混合型のMOS型固体素子を構成することを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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