半導体装置および該装置用ヒートスプレッダー

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田村弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119358
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211818
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】熱放散性に優れ、かつリフロー処理時などにおける樹脂の剥離やクラック発生の問題を解決した高速大容量の半導体装置、およびそれに使用されるヒートスプレッダーを提供する。【構成】リード端子を有する樹脂封止型半導体装置において、ヒートスプレッダーがFe系金属とCu系金属の複合体からなり、該Cu系金属が上下に貫通して埋設されている。ヒートスプレッダーは、複数のFe系金属と複数のCu系金属とが混合して埋設され、該Cu系金属が上下に貫通してなるコアを有しているのが好ましく、またSi溶射皮膜を有しているのが好ましく、さらに半導体チップの反対側にて、放熱フィンが露出して装着されているのが好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体チップ、半導体チップを搭載するヒートスプレッダー、および半導体チップと接続されたインナリードが樹脂で封止された樹脂封止型半導体装置において、ヒートスプレッダーがFe系金属とCu系金属の複合体からなり、該Cu系金属が上下に貫通して埋設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/28 , H01L 23/29

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-286147
特開平2-082645
特開平4-124860

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