特許

J-GLOBAL ID：200903003841846014

静電容量式レベルセンサ

発明者： 古賀 貞道
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132609
公開番号（公開出願番号）：特開平5-322629
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】【目的】 静電容量式レベルセンサにおいて、その一方の電極となる内筒2の製造を容易にし、廉価に提供できるようにした。【構成】 支持体10の表面上にメインセンサ3,リファレンスセンサ4をパターン化して被着形成し、リファレンスセンサ4の導出部4bをメインセンサ3の切欠部11を通じて支持体10の上端まで延長させて端子部4aとし、メインセンサ3の一部も支持体10の上端まで延長させて端子部3aとし、これら両センサ3,4上を含み、支持体10の表面上に絶縁膜12を被着した。

請求項（抜粋）：

レベルの測定をすべき液体が介在される一対の対向する電極を有し、一方の電極がメインセンサとリファレンスセンサとから構成された静電容量式レベルセンサにおいて、上記一対の電極の一方の電極は支持体と、この支持体の上記他方の電極との対向面に、無電解メッキまたは印刷によりそれぞれ互いに電気的に離間して被着されたメインセンサおよびリファレンスセンサと、これらメインセンサ上およびリファレンスセンサ上を含んで上記対向面上に被着形成された絶縁膜と、上記メインセンサの一部が上記支持体の上端まで延長されて形成された端子部と、上記メインセンサの縦方向の接欠部を通じて上記支持体の上端まで延長され、上端に端子部を形成したリファレンスセンサの導出部と、から構成されたことを特徴とする静電容量式レベルセンサ。