特許

J-GLOBAL ID：200903003853691644

半導体集積回路

発明者： 中山 修
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184160
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089973
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 内部セルの面積に応じた静電気保護ができ、ESDパルス等のように複雑な条件下で生じる過電圧にも対応可能な保護回路を有する半導体集積回路を提供する。【構成】 1つのボンディングパッド81に複数のI/Oセル82を電気的に並列接続した構造を有する半導体集積回路において、この1つのボンディングパッド81を複数のI/Oセル82との間に、過電圧を低減させる複数の保護回路84を並列に配置し、さらにこれら保護回路84とI/Oセル82との間の配線を短絡させた構造とする。

請求項（抜粋）：

1つのボンディングパッドに複数のI/Oセルを電気的に並列接続した構造を有する半導体集積回路において、前記1つのボンディングパッドと複数のI/Oセルとの間に、過電圧を低減させる複数の保護回路を該1つのボンディングパッドに対して並列に配置し、前記並列に配置された複数の保護回路と複数のI/Oセルとの間の配線を短絡させたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 21/82 P ,  H01L 27/08 102 F

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭62-285443
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135875   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-298759
  
• 特開昭61-176146