特許

J-GLOBAL ID：200903003854474230

半導体発光素子

発明者： 野崎 秀樹 ,  海野 和美
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-247793
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097498
出願日： 1992年09月17日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、光取り出し効率を向上させて、高輝度化を達成し得ることを目的とする。【構成】 この発明は、半導体基板2上に形成されたInGaAlPの混晶からなる発光層5と、発光層5に電流を供給する電極1,10と、半導体基板2と発光層5との間及び光取り出し側の電極10直下に配置形成され、異なる組成のIII -V族化合物層が交互に積層されて発光層5の放射光を反射する反射層3,9と、反射層3,9の間に、隣接する半導体層6,8と逆導電型に配置形成され、光取り出し側の電極10下方部分の発光層5に電流が流れることを抑制する電流ブロック層7とから構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたInGaAlPの混晶からなる発光層と、発光層に電流を供給する電極と、半導体基板と発光層との間及び光取り出し側の電極直下に配置形成され、異なる組成のIII -V族化合物層が交互に積層されて発光層の放射光を反射する反射層と、反射層の間に、隣接する半導体層と逆導電型に配置形成され、光取り出し側の電極下方部分の発光層に電流が流れることを抑制する電流ブロック層とを有することを特徴とする半導体発光素子。