特許
J-GLOBAL ID：200903003860339050
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029366
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233986
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 放熱フィンの取り付けやダイナミック回路の採用等によるLSIの冷却対策では、LSIの微細化や大型チップ化が進み発熱量が多くなると冷却能力が不十分となり、LSIが正常に動作することが困難になる。【解決手段】 半導体基板(図示省略)の表面に素子(図示省略)が配置された半導体チップ11を搭載した半導体装置1において、半導体チップ11の表面、裏面および側面の少なくともいずれかの面に対して、接する状態にまたはその近傍にペルチエ効果素子21が備えられていて、かつ該ペルチエ効果素子21に電流を供給する電源31が備えられているものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板に素子が配置されてなる半導体チップを搭載した半導体装置において、前記半導体チップの表面、裏面および側面の少なくともいずれかの面に対して、接するまたはその近傍に備えられたペルチエ効果素子と、前記ペルチエ効果素子に電流を供給する電源とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 7/20 S
, H01L 35/28 Z
