特許
J-GLOBAL ID：200903003861407939
積層型半導体セラミツク素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306893
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121204
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 耐熱性,耐酸化性を確保しながらセラミック層とのオーミック接触を向上して抵抗値を低くできる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子を提供する。【構成】 半導体セラミック層2と内部電極3とを交互に積層し、これを一体焼成して焼結体4を形成してなる積層型半導体セラミック素子1を構成する場合に、上記内部電極3を、Niを主成分とし、これにPt,あるいはPdを2〜15at%の範囲で含有してなる金属材料により構成する。
請求項（抜粋）：
半導体セラミック層と内部電極とを交互に積層して一体焼結してなり、正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子において、上記内部電極が、Niを主成分とし、これにPtあるいはPdを2〜15at%の範囲で含有してなる金属材料により構成されていることを特徴とする積層型半導体セラミック素子。
引用特許：
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