特許

J-GLOBAL ID：200903003867424410

容量装置及び半導体装置並びにそれらの製造方法

発明者： 奥 友希 ,  石川 高英
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174013
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022457
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 寿命低下を招くことがないような容量装置、及び、この容量装置を備えた半導体装置を得る。【解決手段】 金属膜からなる下部電極3上に誘電体膜4を設け、誘電体膜4上に、この誘電体膜4表面に開口する穴5aを有する第2の絶縁膜5を設け、又、第2の絶縁膜5上に、この第2の絶縁膜5表面において内縁が穴5aの内縁を囲み、かつ第2の絶縁膜5表面に開口する穴6aを有する第3の絶縁膜6を設け、更に、誘電体膜4表面から、穴5aを介して第2の絶縁膜5上に延在する金属膜からなる上部電極8を設ける。

請求項（抜粋）：

下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜上に形成され、上記下部電極上の第1の絶縁膜表面に開口する第1の穴を有する第2の絶縁膜と、上記第2の絶縁膜上に形成され、上記第2の絶縁膜表面において内縁が上記第1の穴の内縁を囲み、上記第2の絶縁膜表面に開口する第2の穴を有する第3の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜表面から、上記第1の穴を介して上記第2の絶縁膜上に延在する上部電極とを備えた容量装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102