特許

J-GLOBAL ID：200903003867514664

半導体装置及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物

発明者： 中尾 稔 ,  西川 博通
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-032646
公開番号（公開出願番号）：特開平11-228788
出願日： 1998年02月16日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：

【要約】【課題】 リードフレームと封止用樹脂硬化物との接着性を向上させることにより、半田耐熱性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 150°Cでの溶融粘度が5ポイズ以下のフェノール樹脂と、特定の接着性付与剤を含む特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止して構成することにより、リードフレームと封止用樹脂硬化物との接着性が向上し、半田実装におけるような過酷な条件下においてもパッケージクラックの発生を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

(A)エポキシ樹脂、(B)150°Cでの溶融粘度が5ポイズ以下のフェノール樹脂、(C)無機充填剤、及び(D)有機チタン化合物、ロジン系樹脂またはインデン系樹脂より選ばれた少なくとも一種の接着性付与剤を含有するエポキシ樹脂組成物で、リードフレーム上に載置された半導体素子を封止した半導体装置。

IPC (11件)：

C08L 63/00 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/22 ,  C08K 3/36 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/50 ,  C08L 61:06 ,  C08L 93:04 ,  C08L 45:02

FI (7件)：

C08L 63/00 B ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/22 ,  C08K 3/36 ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/50 D ,  H01L 23/30 R