特許
J-GLOBAL ID：200903003869808274
半導体発光素子及びその製造方法、光学検知装置、光学的情報処理装置、投光器並びに光ファイバモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097262
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291365
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 電流狭窄構造と半導体多層反射膜層を有する半導体発光素子において、多層反射膜層に起因する素子抵抗を低減する。【構成】 p-GaAs基板1の上方にp型の多層反射膜層2、p-AlGaAs活性層4、n-AlGaAs上クラッド層5などをエピタキシャル成長させる。この後、キャップ層6上のAZレジスト被膜7をマスクとして多層反射膜層2にBeイオンを打込み、当該イオン打込み領域8で多層反射膜層2を低抵抗化し、素子抵抗を低減させる。また、同じAZレジスト被膜7をマスクとし、上クラッド層5中にBeイオンを打込み、当該イオン打込み領域9で電流阻止領域(pn接合面)を形成すると共にイオン打込み領域9で囲まれた領域を電流通路領域10とし、電流狭窄構造を構成する。
請求項（抜粋）：
活性層と半導体多層反射膜層を有する半導体発光素子において、前記半導体多層反射膜層の一部が無秩序化され、前記活性層へ注入される電流の通路となる電流通路領域を制限するための電流通路制限手段が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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