特許
J-GLOBAL ID：200903003878920338
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123615
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327127
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】本発明は、InP 層に形成される素子を有する半導体装置及びその製造方法に関し、InP 層に形成される半導体素子の熱伝動率を大幅に向上させることを目的とする。【構成】炭化シリコン層2の上で該炭化シリコン層2よりも薄く形成されたインジウム燐層4に、半導体素子が形成されていることを含み構成する。
請求項（抜粋）：
炭化シリコン層(2)の上で該炭化シリコン層(2)よりも薄く形成されたインジウム燐層(4)に、半導体素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 27/12
, H01L 29/784
