特許
J-GLOBAL ID：200903003881022758

半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置

発明者：
腰原 健

腰原 健 について

, 
石黒 英人

石黒 英人 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-304932
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124180
出願日： 2006年11月10日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】多結晶シリコン膜に水素イオンを導入する際のスループットを向上できるとともに多結晶シリコン膜への余計な不純物イオンの導入を防止でき、さらには、耐水性を向上することのできる半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置半導体装置を提供すること。【解決手段】電気光学装置の素子基板10を製造するにあたって、薄膜トランジスタ80、90を形成した後、シリコン酸化膜からなる第1層間絶縁膜4、およびシリコン窒化膜からなる第2層間絶縁膜7を形成し、この状態で、イオンシャワードーピング法により、水素イオンおよびリンイオンを導入する。水素イオンは、質量が小さいので奥まで導入される一方、リンは、質量が大きいので、第2層間絶縁膜7中にドープされた状態となる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン膜からなる能動層、ゲート絶縁層およびゲート電極を備えた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの上層側に形成された絶縁膜とを有する半導体装置の製造方法において、 前記絶縁膜の少なくとも一部を構成するシリコン窒化膜を形成した後、原料ガスから発生させたイオンを質量分離せずに電界加速して導入するイオンシャワードーピング法により、前記シリコン窒化膜を介して水素イオンを導入するイオンシャワードーピング工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/265 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/322
FI (6件)：
H01L29/78 627E ,  H01L21/265 F ,  G02F1/1368 ,  H01L21/265 H ,  H01L21/322 Z ,  H01L29/78 619A
Fターム (45件)：
2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092MA27 ,  2H092PA08 ,  2H092QA07 ,  2H092QA10 ,  2H092RA10 ,  5F110AA19 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ26
引用特許：
出願人引用 (2件)

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