特許
J-GLOBAL ID:200903003883653410
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-272016
公開番号(公開出願番号):特開2008-135721
出願日: 2007年10月19日
公開日(公表日): 2008年06月12日
要約:
【課題】軽量で薄く、好ましくは可撓性を有する光センサ、光電変換素子、光電変換装置、及び半導体装置を作製することを課題とする。【解決手段】第1の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第1の素子と、第2の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第2の素子とを有し、前記第1の素子と前記第2の素子は、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされている半導体装置に関する。また前記増幅回路は、薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路である。またカラーフィルタに代えて、カラーフィルムを用いてもよい。【選択図】図1
請求項1:
第1の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第1の素子と、
第2の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第2の素子と、
を有し、
前記第1の素子と前記第2の素子は、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 31/10
, H01L 21/20
, H01L 27/146
FI (4件):
H01L27/12 B
, H01L31/10 A
, H01L21/20
, H01L27/14 C
Fターム (64件):
4M118AA10
, 4M118BA05
, 4M118CA05
, 4M118CA15
, 4M118CB05
, 4M118CB06
, 4M118FB03
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118FB24
, 4M118FB30
, 4M118GC08
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 4M118HA26
, 5F049MA04
, 5F049MB05
, 5F049MB12
, 5F049NA19
, 5F049NB03
, 5F049PA03
, 5F049PA11
, 5F049RA08
, 5F049SE05
, 5F049SS01
, 5F049SZ06
, 5F049SZ11
, 5F049UA13
, 5F049UA14
, 5F049WA03
, 5F152BB02
, 5F152BB03
, 5F152CC02
, 5F152CC03
, 5F152CC05
, 5F152CC06
, 5F152CC08
, 5F152CD09
, 5F152CD13
, 5F152CD14
, 5F152CD15
, 5F152CD16
, 5F152CD17
, 5F152CE05
, 5F152CE45
, 5F152FF21
, 5F152LL04
, 5F152LP01
, 5F152LP09
, 5F152MM04
, 5F152MM12
, 5F152NN12
, 5F152NN14
, 5F152NN16
, 5F152NN19
, 5F152NN20
, 5F152NP13
, 5F152NP14
, 5F152NQ02
, 5F152NQ03
, 5F152NQ04
, 5F152NQ12
, 5F152NQ13
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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