特許
J-GLOBAL ID：200903003886431036
化合物半導体の気相成長装置及び気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020214
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217910
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 化合物半導体の気相成長装置において、反応管外殻の水冷室3a,3b,3cを原料ガスの流れ方向に3分割する。そして成膜の間に3分割された中央の水冷室の冷却水を抜き、反応管を加熱することにより内殻の壁面に付着した付着物を除去する。【効果】 反応管交換サイクルが長くなるため、装置の高効率使用、危険作業の低減、また反応管取付直後の成膜の不安定性を減らすことが可能で、高品質、高歩留りで半導体基板の供給が出来る。
請求項１：
横型でかつガラス製二重管を有し、該ガラス製二重管の外殻には冷却水を流し該ガラス製二重管の内殻の壁面を冷却する化合物半導体の気相成長装置において、該ガラス製二重管の外殻は横方向に3分割してなることを特徴とする化合物半導体の気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, F27D 1/12
, H01L 21/31
