特許

J-GLOBAL ID：200903003888781883

半導体装置の製造方法

発明者： 白石 雅敏
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-243065
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082509
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 表面保護膜堆積によって生じた狭い領域にもポリイミドを完全に充填させ、半導体装置の高性能,高信頼性化をはかる。【構成】 表面保護膜堆積後のウエハに、ポリイミド前駆体をスピンコートする前に、ポリイミド前駆体よりも低粘度の有機溶剤をスピンコートする。そうすることによって、表面保護膜堆積後に生じた狭い領域に有機溶剤を充填させる。その後、ポリイミド前駆体を塗布し、その後のベーク,硬化の時の熱処理で有機溶剤とポリイミド前駆体を置換させ、最終の硬化が終了した時点で、空隙が発生することなくポリイミド膜を形成することが可能になる。

請求項（抜粋）：

表面保護膜形成後の半導体基板を、加熱して表面の水分を除去する工程と、有機溶剤をスピンコートする工程と、ポリイミド前駆体溶液をスピンコートする工程と、加熱により溶剤を一部揮発させる工程と、フォトリソ法により所定の場所のみ露光する工程と、現像により所定の場所のみポリイミド前駆体を残す工程と熱処理により前記ポリイミド前駆体をポリイミドに変える工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-232424
  
• 特開昭62-241333
  
• 特開平1-173719
  
• 特開平2-238650