特許
J-GLOBAL ID：200903003889556042

発光素子の製造方法およびその方法により製造される発光素子

発明者：
金子 佳加

金子 佳加 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-147777
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338662
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 リッジ状にドライエッチングする際に、エッチングする深さの制御を容易にし、半導体層の厚さを精度よく調整することにより、閾値電流などの特性が安定で、生産効率が高く、再現性のよいリッジ導波路型窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 リッジ状にドライエッチングするコンタクト層と、活性層との間にエッチング速度変更層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法であって、リッジ状にドライエッチングするときにウェハの表面に光を照射し、反射光の膜厚干渉信号によりエッチング速度変更層を検出し、エッチングする深さを制御する。
請求項（抜粋）：
リッジ状にドライエッチングするコンタクト層と、活性層との間にエッチング速度変更層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法であって、リッジ状にドライエッチングするときにウェハの表面に光を照射し、反射光の膜厚干渉信号により前記エッチング速度変更層を検出し、エッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/323 610
Fターム (5件)：
5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM