特許
J-GLOBAL ID:200903003891757039
アルミニウム配線の加工方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-315632
公開番号(公開出願番号):特開平8-153728
出願日: 1994年11月25日
公開日(公表日): 1996年06月11日
要約:
【要約】【目的】 アルミニウムの表面に、該アルミニウムを陽極酸化することによって形成されたバリヤ型陽極酸化物を選択的にエッチングする方法を提供する。【構成】 フッ化ハロゲン(例えば、ClF3 、ClF、BrF3 、BrF)を含む雰囲気中に陽極酸化物をさらすことによって、陽極酸化物のガスエッチングをおこなう。エッチングはアルミニウム表面が露出した時点で終了し、アルミニウム表面には薄いフッ化アルミニウム層が形成されるが、これは水洗することにより除去できる。以上の方法により、オーバーエッチングすることなく、金属アルミニウム表面が得られる。
請求項(抜粋):
基板上に95%以上の純度の薄膜状のアルミニウム配線を形成する工程と、前記基板を電解溶液に浸し、前記アルミニウム配線に電流を通じることにより、前記アルミニウム配線の少なくとも上面にバリヤ型の陽極酸化物被膜を形成する工程と、フォトリソグラフィー工程により、前記アルミニウム配線上にフォトレジストのマスクを形成する工程と、基板をフッ化ハロゲンを有する雰囲気に置くことにより、前記陽極酸化物被膜を選択的にエッチングする工程と、前期工程においてアルミニウム表面に形成されたフッ化アルミニウム層を、水洗することにより除去する工程と、を有することを特徴とするアルミニウム配線の加工方法
IPC (4件):
H01L 21/3213
, C23F 4/00
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
FI (2件):
H01L 21/88 C
, H01L 21/88 N
引用特許:
出願人引用 (4件)
-
特開平3-272135
-
特開平3-136240
-
特開昭60-254731
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-334969
出願人:株式会社東芝
全件表示
前のページに戻る