微細パターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-229261
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067559
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路の微細パターン形成方法に関し, 位相シフト法を用いて粗密のパターンの混在するパターニングを可能にすることを目的とする。【構成】半導体基板1上の被エッチング膜2に第1のレジスト膜3を塗布し,第1のレジスト膜3上に透明レジスト膜からなるシフター4を形成する工程と,シフター4を用いて第1のレジスト膜3の全面露光並びに現像を行い, シフター4の縁にシフター4の幅に比べて極めて小さい,露光波長の半分の幅の抜きパターン5を形成する工程と, シフター4と第1のレジスト膜3をマスクとして, 被エッチング膜2をエッチングする工程と, シフター4をマスクとして, 第1のレジスト膜3を異方性エッチングにより除去する工程と, 半導体基板1上に第2のレジスト膜6を塗布し,パターニングする工程と,シフター4と第2のレジスト膜6をマスクとして, 被エッチング膜2をエッチングする工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に塗布したレジスト膜を露光するシフト法において,シフターを半導体基板のレジスト膜上に形成することを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/26 511 , H01L 21/302 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/30 311 W , H01L 21/30 361 S , H01L 21/88 C

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