特許
J-GLOBAL ID：200903003894338843

多層配線の形成方法

発明者：
多田 宗弘

多田 宗弘 について

, 
林 喜宏

林 喜宏 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-295838
公開番号（公開出願番号）：特開2009-123886
出願日： 2007年11月14日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜43及び配線層間絶縁膜44を金属配線41a上に形成する第一の工程(図1[1])と、ビア層間絶縁膜43及び配線層間絶縁膜44の一部に金属配線41aに達する凹部としてのデュアルダマシン溝48を形成する第二の工程(図1[2]〜図2[2])と、ビア層間絶縁膜43及び配線層間絶縁膜44とデュアルダマシン溝48内で露出した金属配線41aとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜43及び配線層間絶縁膜44の表面に改質層49を形成するとともに金属配線金属配線41aの表面を還元する第三の工程(図3[1])と、を含むことを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
シロキサン構造を含む絶縁膜を金属配線上に形成する第一の工程と、 前記絶縁膜の一部に前記金属配線に達する凹部を形成する第二の工程と、 前記絶縁膜と前記凹部内で露出した前記金属配線とに水素プラズマ処理を施すことにより、当該絶縁膜の表面に改質層を形成するとともに当該金属配線の表面を還元する第三の工程と、 を含むことを特徴とする多層配線の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/314
FI (5件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/302 104H ,  H01L21/302 106 ,  H01L21/312 C ,  H01L21/314 A
Fターム (76件)：
5F004AA07 ,  5F004AA16 ,  5F004DB24 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK15 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK23 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033PP15 ,  5F033PP20 ,  5F033PP21 ,  5F033PP22 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR01 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF02 ,  5F058AG04 ,  5F058AG07 ,  5F058AH02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BD06 ,  5F058BD18 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BH12 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ05
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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