特許

J-GLOBAL ID：200903003894644928

半導体装置及びその製造方法

発明者： 亀井 誠司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122074
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310610
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 高集積化に対応可能な配線用層間絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を実現し、歩留り、信頼性を向上させる。【構成】 第1の金属配線102上に、少なくとも1層の絶縁膜103〜105を前記第1の金属配線層102よりも厚く堆積する工程と、最上部の前記絶縁膜105表面を平坦化する工程と、前記平坦化された表面から、前記第1の金属配線102に至る開口部106を形成する工程と、前記開口部106の側壁に保護膜107を形成する工程と、前記開口部106に第2の金属配線108を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

第1の金属配線上に、少なくとも1層の絶縁膜を前記第1の金属配線層よりも厚く堆積する工程と、最上部の前記絶縁膜表面を平坦化する工程と、前記平坦化された表面から、前記第1の金属配線に至る開口部を形成する工程と、前記開口部の側壁に保護膜を形成する工程と、前記開口部に第2の金属配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316