特許
J-GLOBAL ID：200903003896398282
薄膜磁気素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286299
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135040
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】高周波電流の大小によらず、大きなQ値を確保できる薄膜磁気素子を提供する。【解決手段】1は半導体基板、2は下地絶縁膜で、これらが絶縁性基板20を構成する。6は薄膜トランスおよび薄膜インダクタとして使用される薄膜磁気素子であって、下地絶縁膜2上に形成されている。薄膜磁気素子6は帯状の銅膜などからなる第1コイル導体5aおよび第2コイル導体5bと、これらのコイル導体5a、5bを挟むように上下に配置された磁性層としての第1軟磁性層3aおよび第2軟磁性層3bと、該軟磁性層3a、3bと前記コイル導体5a、5bとの間を埋める層間絶縁膜4(ポリイミド層)と、前記コイル導体5a、5bの両端が一緒に接続される金属性のパッド7、8(外部導出端子)とから構成されている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、コイル導体としての機能を有する帯状の導電性金属層と、該導電性金属層の上下の層間絶縁膜を介して該導電性金属層を挟んむように形成された磁心としての機能を有する磁性層とを有する薄膜磁気素子であって、前記導電性金属層を絶縁膜を挟んで積層することを特徴とする薄膜磁気素子。
IPC (4件)：
H01F 17/04
, H01F 10/08
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01F 17/04 A
, H01F 10/08
, H01L 27/04 L
