特許
J-GLOBAL ID：200903003897101291
埋込み構造半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285470
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102607
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 メサ構造埋込み成長時にSeなどのVI族ドーパントを用いた高濃度n形InPを使用することにより、n形InP層がメサ構造上部に成長しない条件を実現し、選択マスクの無いメサ構造を用いた1回の有機金属気相成長法による埋込み長によって高性能な半導体レーザを製作する。【構成】 n形InP半導体基板1a上n形InPバッファ層1bが形成されている基板上に有機金属気相成長法により活性層2,p形InPクラッド層3を堆積する。そしてこの基板表面をストライプ状にマスクし、そのクラッド層3,活性層3,バッファ層1bを選択的にエッチングしメサ構造を形成する。しかる後メサ構造上面のマスクを除去し、その基板全面に有機金属気相成長法によりp形InP電流ブロック層5,Seドーパントn形InP電流閉じ込め層6,p形InPクラッド層7とp形キャップ層8を順次堆積する。
請求項（抜粋）：
n形InP半導体基板上または該基板上にn形InPバッファ層が形成されている基板上に有機金属気相成長法により活性層,p形InPクラッド層を堆積する工程と、この基板表面をストライプ状にマスクし、前記クラッド層,前記活性層,前記バッファ層または前記半導体基板を選択的にエッチングしメサ構造を形成する工程と、このメサ構造上面のマスクを除去し、該基板全面に有機金属気相成長法によりp形InP電流ブロック層,VI族ドーパントを用いたn形InP電流閉じ込め層,p形InPクラッド層とp形キャップ層を堆積する工程とを有することを特徴とする埋込み構造半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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