特許
J-GLOBAL ID：200903003898751508
レーザ照射装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
, 鵜飼 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-178414
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288219
出願日： 2007年07月06日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】表層に不純物が添加された半導体基板の基板表面から深い位置に存在する不純物の活性化を行うことができる不純物活性化方法に用いることができるレーザ照射装置を提供する。【解決手段】レーザ照射装置は、パルスレーザビームである第1のレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、連続波レーザビームまたはパルスレーザビームである第2のレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、入射したレーザビームのビーム断面形状の整形及びビーム断面内の光強度分布の均一化の少なくとも一方を行う回折光学素子と、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとを、前記回折光学素子のレーザビームを入射させる表面の相互に異なる位置に入射させる入射光学系とを有する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
パルスレーザビームである第1のレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、
連続波レーザビームまたはパルスレーザビームである第2のレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、
入射したレーザビームのビーム断面形状の整形及びビーム断面内の光強度分布の均一化の少なくとも一方を行う回折光学素子と、
前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとを、前記回折光学素子のレーザビームを入射させる表面の相互に異なる位置に入射させる入射光学系と
を有するレーザ照射装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (10件)
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