特許

J-GLOBAL ID：200903003907594275

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 湯浅 貴之 ,  猪口 和彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202347
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051029
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 成長膜中のC軸〈00・1〉方向に発生する欠陥密度を減少でき、結果的に発光効率が高く、特に半導体レーザ素子として好適な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 (11・0)面方位を有するZnO基板11上に、n型GaN12、n型Al0.2Ga0.8N混晶13、In0.1Ga0.9N混晶14及びp型Al0.2Ga0.8N混晶15を、何れの層も基板面に対して平行にC軸〈11・0〉を成長させた構造とする。

請求項（抜粋）：

ウルツ鉱型窒化物半導体を基板上に結晶成長して作製される半導体発光素子であって、結晶成長する該ウルツ鉱型窒化物半導体のC軸〈00・1〉方向が該基板の基板面方向に対して、90°±5°の角度を有する半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18